ZnGeP2 — zasićena infracrvena nelinearna optika
Opis proizvoda
Zbog ovih jedinstvenih svojstava, poznat je kao jedan od materijala koji najviše obećava za nelinearne optičke aplikacije. ZnGeP2 može generirati kontinuirani podesivi laser od 3-5 μm koji se izvodi kroz tehnologiju optičkih parametarskih oscilacija (OPO). Laseri, koji rade u atmosferskom transmisionom prozoru od 3-5 μm, od velike su važnosti za mnoge primjene, kao što su infracrvena mjerač brojača, hemijski nadzor, medicinski aparati i daljinska detekcija.
Možemo ponuditi ZnGeP2 visokog optičkog kvaliteta sa ekstremno niskim koeficijentom apsorpcije α < 0,05 cm-1 (na talasnim dužinama pumpe 2,0-2,1 µm), koji se može koristiti za generisanje srednjeg infracrvenog podesivog lasera sa visokom efikasnošću kroz OPO ili OPA procese.
Naš kapacitet
Tehnologija dinamičkog temperaturnog polja kreirana je i primijenjena za sintezu polikristalnog ZnGeP2. Ovom tehnologijom sintetizirano je više od 500 g polikristalnog ZnGeP2 visoke čistoće sa ogromnim zrnima u jednom ciklusu.
Metoda Horizontal Gradient Freeze u kombinaciji sa Directional Necking tehnologijom (koja može efikasno smanjiti gustinu dislokacije) uspješno je primijenjena na rast visokokvalitetnog ZnGeP2.
Visokokvalitetni ZnGeP2 na nivou kilograma s najvećim svjetskim promjerom (Φ55 mm) uspješno je uzgojen metodom vertikalnog gradijenta zamrzavanja.
Hrapavost površine i ravnost kristalnih uređaja, manja od 5Å i 1/8λ respektivno, dobijeni su našom tehnologijom fine obrade površine zamkom.
Konačno odstupanje ugla kristalnih uređaja je manje od 0,1 stepen zbog primene precizne orijentacije i preciznih tehnika rezanja.
Uređaji sa odličnim performansama postignuti su zahvaljujući visokom kvalitetu kristala i tehnologiji obrade kristala visokog nivoa (3-5μm srednji infracrveni podesivi laser je generisan sa efikasnošću konverzije većom od 56% kada se pumpa svetlošću od 2μm izvor).
Naša istraživačka grupa, kroz kontinuirano istraživanje i tehničke inovacije, uspješno je savladala tehnologiju sinteze polikristalnog ZnGeP2 visoke čistoće, tehnologiju rasta velike veličine i visokog kvaliteta ZnGeP2 i orijentaciju kristala i tehnologiju obrade visoke preciznosti; može da obezbedi ZnGeP2 uređaje i originalne kristale koji su uzgojeni u masovnoj skali sa visokom uniformnošću, niskim koeficijentom apsorpcije, dobrom stabilnošću i visokom efikasnošću konverzije. Istovremeno, uspostavili smo čitav niz platformi za testiranje performansi kristala koja nam omogućava da klijentima pružimo usluge testiranja performansi kristala.
Prijave
● Druga, treća i četvrta harmonična generacija CO2 lasera
● Generisanje optičkih parametara sa pumpanjem na talasnoj dužini od 2,0 µm
● Druga harmonijska generacija CO-lasera
● Proizvodnja koherentnog zračenja u submilimetarskom opsegu od 70,0 µm do 1000 µm
● Generisanje kombinovanih frekvencija zračenja CO2- i CO-lasera i drugih lasera rade u oblasti kristalne transparentnosti.
Osnovna svojstva
| Hemijski | ZnGeP2 |
| Kristalna simetrija i klasa | tetragonalna, -42m |
| Parametri rešetke | a = 5,467 Å c = 12,736 Å |
| Gustina | 4,162 g/cm3 |
| Mohs Hardness | 5.5 |
| Optical Class | Pozitivna jednoosna |
| Korisni domet prijenosa | 2,0 um - 10,0 um |
| Toplotna provodljivost @ T= 293 K | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K (∥ c) |
| Thermal Expansion @ T = 293 K do 573 K | 17,5 x 106 K-1 (⊥c) 15,9 x 106 K-1 (∥ c) |
Tehnički parametri
| Tolerancija prečnika | +0/-0,1 mm |
| Length Tolerance | ±0,1 mm |
| Tolerancija orijentacije | <30 arcmin |
| Kvalitet površine | 20-10 SD |
| Ravnost | <λ/4@632.8 nm |
| Paralelizam | <30 lučnih sekundi |
| Perpendikularnost | <5 arcmin |
| Chamfer | <0,1 mm x 45° |
| Raspon transparentnosti | 0,75 - 12,0 ?m |
| Nelinearni koeficijenti | d36 = 68,9 pm/V (na 10,6 μm) d36 = 75,0 pm/V (na 9,6 μm) |
| Prag oštećenja | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
