-
Fotodetektor za lasersko mjerenje udaljenosti i brzine
Spektralni raspon InGaAs materijala je 900-1700nm, a šum umnožavanja je niži nego kod germanijumskog materijala. Općenito se koristi kao područje umnožavanja za heterostrukturne diode. Materijal je pogodan za brzu komunikaciju optičkim vlaknima, a komercijalni proizvodi su dostigli brzine od 10Gbit/s ili više.
Proizvodi
Si&InGaAs, PIN&APD, Talasna dužina: 400-1100nm, 900-1700nm. (Pogodno za lasersko mjerenje udaljenosti, mjerenje brzine, mjerenje ugla, fotoelektričnu detekciju i fotoelektrične sisteme za protivmjeru.)